BSP123E6327T
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSP123E6327T |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 370mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.79W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 370mA (Ta) |
BSP123E6327T Einzelheiten PDF [English] | BSP123E6327T PDF - EN.pdf |
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2024/04/18
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2023/12/20
![]() BSP123E6327TInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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